ITO層上開孔
本文檔由 小旋風(fēng) 分享于2011-12-21 22:25
將氧化銦錫(ITO)生長于氮化鎵基藍色發(fā)光二極管的出光臺面上(p型GaN臺面), 用非平面化處理的方法制作出ITo井狀結(jié)構(gòu),研制出非平面化型氧化銦錫一氮化鎵基藍色發(fā)光二極管(LED),獲得了高的出光效率。結(jié)果表明,在20 mA工作電流下,該藍色發(fā)光二極管的出光光強是平整的普通ITO—GaN基LED的1.35倍。
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